在Mini/Micro LED封装领域（像素间距≤0.5mm），全自动隧道炉通过氮气保护固化（氧含量≤50ppm）实现低空洞率（＜1%），解决倒装芯片（Flip Chip）键合胶的氧化失效问题。三温区梯度加热（预热80℃±2℃/固化150℃±1℃/缓冷60℃±0.5℃）适配量子点彩膜（QDEF）的敏感材料特性，避免280℃高温导致的色坐标偏移（Δxy≤0.003）。针对COB集成封装（50mil芯片密排），配备红外热补偿系统可穿透硅胶层，使底部填充胶（Underfill）固化深度达300μm，剪切强度提升至18MPa。车载LED模组（工作温度-40℃~105℃）采用双轨道异步传输，实现高导热铝基板（6W/m·K）与柔性PCB的同步固化，产线节拍缩短至45秒/片。最新UV+热风混合固化技术（365nm+395nm双波段）使透明封装胶（折射率1.53）在3分钟内完成深层固化，满足影院级LED屏（NTSC 110%）的光学一致性要求。松下量产数据显示，该设备使巨量转移（10000PPI）的封装良率从92%提升至99.6%，助力8K超微间距显示屏（P0.4）量产成本下降30%。